تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل


انواع خدمات مشاوره و تعمیر یخچال و فریزر در محل شما

مشاوره رایگان

بسیاری از خرابی های یخچال و فریزر نیازی به تعمیرکار ندارد و شما میتوانید خودتان مشکل را رفع نمایید. جهت دریافت مشاوره رایگان تماس بگیرید.
02191001680
phone


استفاده از قطعات اورجینال

تمام قطعات مورد استفاده برای تعمیر یخچال و فریزر دارای ضمانت 90 روزه میباشند تا مشتریان با خیالی آسوده خدمات مطلوب را دریافت نمایند.
02191001680
phone


اعزام فوری کارشناس

فقط با یک تماس بلافاصله کارشناس به محل شما اعزام می گردد. همچنین میتوانید به صورت آنلاین درخواست تعمیر دستگاه خود را ثبت نمایید.
02191001680
phone


مزایا و برتری تعمیرچی

سوالات متداول

  1. سوال: شیب مجاز محل نصب یخچال باید چند درجه باشد؟
    پاسخ: حداکثر شیب مجاز برای محل نصب یخچال 5 درجه میباشد.
  2. سوال: چقدر زمان میبرد تا باکس یخساز پر شود؟
    پاسخ: وقتی دستگاه را تازه به برق میزنید 12 ساعت زمان نیاز است تا دمای فریزر به 20- درجه برسد و بعد از آن یخساز شروع به تولید یخ نموده و حدودا دو الی سه روز زمان میبرد تا مخزن یخساز پر شود. فشار آب منزل و حجم مواد غذایی درون فریزر و باز و بسته کردن درب یخچال در طول روز نیز در سرعت ساخت یخ موثر است.
  3. سوال: نقش کمپرسور در یخچال چیست؟
    پاسخ: کمپرسور یا همان موتور یخچال وظیفه متراکم کردن و افزایش فشار گاز را بر عهده دارد که به تبع آن گاز مبرد در داخل سیکل شروع به گردش نموده و با عبور از لوله موئی به دلیل کاهش ناگهانی فشار دمای آن افت شدیدی نموده و فرآیند جذب گرما از محیط فریزر انجام میگردد.
  4. سوال: آیا تعمیرکار بدون هماهنگی با من مراجعه میکند؟
    پاسخ: تمام تکنسین ها قبل از مراجعه با شما تماس گرفته و زمان مراجعه را با شما هماهنگ مینمایند.
  5. سوال: دلیل وجود بوی بد درون یخچال چیست؟
    پاسخ: بوی بد یخچال ممکن است بر اثر باقی ماندن طولانی مدت مواد خوراکی درون یخچال باشد. برای پیشگیری از تولید بوی بود در یخچال حتما مواد خوراکی را درون ظرف های در بسته نگه دارید و یخچال را به صورت مرتب هر ده روز یکبار تمیز کنید و موادی که تاریخ انقضای آنها رو به اتمام است از یخچال خارج کنید.
متن مطلب      کل مطالب     

تلفن تماس : 02191001680


کد مطلب: 04402.html
یکشنبه, ۶ مهر ۱۳۹۹ ساعت ۱۵:۵۰

TSMC سال ۲۰۲۴ ترانزیستورهای 2 نانومتری MBCFET را به ‌تولید انبوه می‌رساند

گزارش‌های جدید اعلام می‌کنند TSMC به دستاوردی انقلابی در تحقیق‌و‌توسعه برای لیتوگرافی دو نانومتری دست پیدا کرده است. ظاهرا TSMC می‌خواهد این لیتوگرافی را با روش MBCFET بسازد.

شرکت صنایع نیمه‌هادی - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - تایوان (TSMC) توانسته در حوزه‌ی تحقیق‌و‌توسعه به دستاوردی انقلابی برسد. درحالی‌که تراشه‌های رده‌بالای امروزی به‌طور عمده بر لیتوگرافی (نود پردازشی) هفت نانومتری متکی هستند، TSMC فرایند تحقیق‌و‌توسعه‌ی جدی برای لیتوگرافی دو نانومتری را آغاز کرده و به نتایج مثبت متعددی هم دست پیدا کرده است. - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - گزارش‌های مربوط به دستاورد جدید - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - TSMC نخستین بار در رسانه‌های تایوانی منتشر شدند و سپس شاهد پوشش آن‌ها توسط رسانه‌های معتر جهانی بودیم. 

TSMC امروزه به‌عنوان تأمین‌کننده‌ی تراشه برای بسیاری از شرکت‌های کوچک و بزرگ در سراسر دنیا شناخته می‌شود و مشتریان مهمی دارد. آن‌طور که گزارش‌های اخیر - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - می‌گویند، TSMC قصد دارد در اواسط سال ۲۰۲۳، فرایند تولید آزمایشی لیتوگرافی دو نانومتری را کلید بزند؛ یک سال بعد - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - (۲۰۲۴)، شاهد آغاز تولید انبوه این لیتوگرافی خواهیم بود. 

درحال‌حاضر جدیدترین لیتوگرافی TSMC، نسل اول لیتوگرافی پنج نانومتری است که قطعا در تراشه‌های متعددی از آن استفاده خواهد شد؛ A14 Bionic، نخستین تراشه‌ی پنج نانومتری - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - دنیا - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - که در آیپد ایر ۲۰۲۰ و گوشی‌های خانواده‌ی آیفون ۱۲ از آن استفاده می‌شود، برپایه‌ی لیتوگرافی پنج نانومتری TSMC ساخته شده. در اصطلاح عامیانه، کلمه‌ی نود در عبارت نود پردازشی، به ابعاد واحدهایی از ترانزیستور با نام فین (Fin) اشاره می‌کند. پردازنده‌ای مدرن شامل میلیاردها فین‌ است. این تعداد زیاد فین‌ها درکنار یکدیگر باعث شده‌اند امکان انجام پردازش‌های بسیار پیچیده فراهم شود. همچنین فین‌های یادشده قیمت تمام‌شده را کاهش می‌دهند و باعث بهبود قدرت پردازشی تراشه می‌شوند. 

برای اشاره به ترانزیستورهایی که در تراشه‌های ساخته‌شده توسط TSMC و بازوی تراشه‌ساز سامسونگ با نام Samsung Foundry مورداستفاده قرار می‌گیرند از عبارت فین‌فت (FinFET مخفف Fin Field Effect Transistor) استفاده می‌شود. بااین‌حال، لیتوگرافی - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - دو نانومتری TSMC قرار است دارای طراحی متفاوتی برای ترانزیستور باشد و عبارت فین‌فت را کنار بگذارد. از طراحی جدید ترانزیستورهای موردبحث با عبارت MBCFET (مخفف Multi-Bridge Channel Field Effect) یاد می‌شود. MBCFET برپایه‌ی طراحی‌های پیشین فین‌فت ساخته شده و بهبودهایی محسوس به‌خود دیده است. 

تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل

طراحی فین‌فن متشکل‌از سه المان کلیدی است که شامل «منبع»،‌ «دروازه» و «ناودان» می‌شوند؛ الکترون‌ها از منبع به‌سمت ناودان به‌جریان درمی‌آیند و وظیفه‌ی دروازه، تنظیم کردن جریان برق است. در طراحی‌های - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - قبل از فین‌فت، منبع و ناودان تنها در محور افقی تولید می‌شدند و - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - به‌بیانی بهتر،‌ این دو المان هم‌راستا با تراشه قرار می‌گرفتند. TSMC در روش فین‌فت، استراتژی خود را تغییر داد. منبع و ناودان در فین‌فت به بعد سوم مجهز شدند و این یعنی به‌حالت عمودی هم درآمدند. نتیجه‌ی راهکار فین‌فت این بود که الکترون‌های بیشتری می‌توانستند از دروازه عبور کنند؛ به‌علاوه میزان نشست الکترون‌ها کاهش یافت و ولتاژی کاری هم کاهش پیدا کرد. 

این نخستین باری نیست که یک شرکت تراشه‌ساز سراغ استفاده از روش MBCFET برای تولید ترانزیستور تراشه‌ها می‌رود. در آوریل سال - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - گذشته‌ی میلادی (فروردین و اردیبهشت ۱۳۹۸) بود - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - که سامسونگ در بیانیه‌ای اعلام کرد قصد دارد - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - برای تراشه‌های سه نانومتری از روش تولید MBCFET استفاده کند. راهکار MBCFET سامسونگ درواقع نسخه‌ی تکامل‌یافته‌ی راهکار GAAFET بود که این شرکت در سال ۲۰۱۷ در همکاری مشترک با IBM طراحی کرده بود.

تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل

راهکار MBCFET سامسونگ برخلاف GAAFET برای منبع و ناودان - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - از نانوصفحه (NanoSheet) استفاده می‌کند، این درحالی - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - است که GAAFET از نانوسیم (NanoWire) استفاده می‌کرد. استفاده از نانوصفحه باعث افزایش سطح رسانای ترانزیستور می‌شود و مهم‌تر از آن، تولیدکننده‌ی تراشه را قادر می‌سازد بدون افزایش سطح جانبی، از دروازه‌های بیشتری در - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - ترانزیستور استفاده کند. 

اخبار - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - جدیدی به‌تازگی در بین رسانه‌ها دست‌به‌دست می‌شوند که هنوز به‌تأیید رسمی TSMC نرسیده‌اند؛ این اخبار ادعا می‌کنند TSMC انتظار دارد نرخ بازده لیتوگرافی دو نانومتری‌اش به عدد سرسام‌آور ۹۰ درصد در سال ۲۰۲۳ برسد. اگر این اتفاق رنگ حقیقت به‌خود بگیرد و مشکل دیگری پیش نیاید، - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - TSMC خواهد توانست مطابق برنامه‌های تعیین‌شده، در سال ۲۰۲۴ فرایند تولید انبوه را - تعمیرگاه مجاز یخچال ساید دوو در منزل - آغاز کند.

سامسونگ به‌هنگام معرفی ترانزیستورهای MBCFET اعلام کرد انتظار دارد لیتوگرافی سه نانومتری بتواند میزان مصرف انرژی تراشه را نسبت‌به تراشه‌های هفت نانومتری بین ۳۰ تا ۴۵ درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین از افزایش قدرت تراشه‌ی سه نانومتری به‌میزان ۳۰ درصد نسبت‌به تراشه‌ی هفت نانومتری خبر داد. 

اشتراک گذاری این صفحه با دوستانتان


طراحی سایت و سئو توسط گلهای اندیشه
phone