از ابتدای دههی ۱۹۷۰، تعداد ترانزیستورهای موجود در تراشههای الکترونیکی مطابق با قانون مور (Moore's Law) تقریبا هر دو سال دو برابر شده؛ اگرچه قانون مور بهدلیل فراهمنبودن - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - امکان - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - کاهش ابعاد ترانزیستورها - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - به پایان راه خود نزدیک است.
پیشرفت سریع شرکتهای طراح تراشههای الکترونیکی باعث شده است تعداد ترانزیستور موجود در - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - این قطعات - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - هر روز بیشتر شود؛ بهگونهای که تراشه M1 اپل که اولین نسل از پردازندهی ساخت این شرکت برای استفاده در محصولات مک است، از ۱۶ میلیارد ترانزیستور تشکیل شده است.
باتوجهبه محدودیت ابعاد تراشههای بهکاررفته در وسایل الکترونیکی قابلحمل، مانند گوشیهای تلفنهمراه و لپتاپها با افزایش تعداد ترانزیستورها باید ابعاد هر ترانزیستور کاهش یابد تا اندازهی تراشهی تولیدشده افزایش نیابد.
یکی از موانع حال حاضر صنعت نیمهرسانا کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانومتر است؛ زیرا با کوچکشدن ابعاد ترانزیستورها، جریان نشتی هر ترانزیستور افزایش مییابد و درنهایت، به افزایش گرما و توان مصرفی تراشهی الکترونیکی تولیدشده منجر خواهد شد. در این زمینه، شرکت سازندهی قطعات نیمهرسانای تایوان، TSMC، قدم بزرگی در توسعهی فرایند تولید تراشههای الکترونیکی ۲ نانومتری خود برداشته است.
بهنقل از رسانهی چینی GizChina، شرکت TSMC سال گذشته گروه - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - تحقیقوتوسعه برای تعیین روش دستیابی به فناوری ۲ نانومتری تشکیل داده - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - است. براساس ادعای منابع زنجیرهی تأمین TSMC، این شرکت بهمنظور غلبه بر محدودیتهای فیزیکی مربوط به استفاده از تکنولوژی FinFET در ارتباط با - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - کنترل جریان نشتی ناشی از کوچکشدن فرایند تولید، به معماریای برپایهی ترانزیستورهای نوین اثر میدان کانال چند پل (MBCFET Transistors) روی آورده است.
مقالهی منتشرشده یادآوری میکند شرکت TSMC پیشازاین مدعی شده بود که روند تحقیقوتوسعه و تولید - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - تراشههای ۲ نانومتری این شرکت در بائوشان چین و سینچو تایوان انجام خواهد شد. این شرکت افزوده - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - است که در حال برنامهریزی برای ایجاد چهار مجموعهی بزرگ تولید ویفرهای سیلیکونی موردنیاز خود در مساحتی به بزرگی ۲۲۲ هکتار است.
بهگفتهی منابع اطلاعاتی موثق، TSMC امیدوار است پیش از شروع فرایند تولید انبوه در سال ۲۰۲۴، در نیمه دوم سال ۲۰۲۳ به توانایی - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - تولید آزمایشی با ریسک محدود و ظرفیت حداقل ۹۰ درصد دست یابد. البته باتوجهبه وضعیت همهگیری ویروس کرونا در - تعمیر یخچال فریزر پروفایل در محل - جهان، مشخص نیست این زمانبندی محقق خواهد شد یا خیر.