شرکت صنایع نیمه‌هادی تایوان (TSMC) توانسته در حوزه‌ی تحقیق‌و‌توسعه به دستاوردی انقلابی برسد. درحالی‌که تراشه‌های رده‌بالای امروزی به‌طور عمده - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - بر لیتوگرافی - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - (نود پردازشی) هفت نانومتری متکی هستند، TSMC فرایند تحقیق‌و‌توسعه‌ی جدی برای لیتوگرافی دو نانومتری را آغاز کرده و به نتایج مثبت متعددی هم دست پیدا کرده است. گزارش‌های مربوط به دستاورد جدید TSMC نخستین بار در رسانه‌های تایوانی منتشر شدند و سپس - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - شاهد پوشش آن‌ها توسط رسانه‌های معتر - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - جهانی بودیم.
TSMC امروزه به‌عنوان - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - تأمین‌کننده‌ی - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - تراشه برای بسیاری از شرکت‌های کوچک و بزرگ در سراسر دنیا شناخته می‌شود و مشتریان مهمی دارد. آن‌طور که گزارش‌های اخیر می‌گویند، TSMC قصد دارد در اواسط سال ۲۰۲۳، فرایند تولید آزمایشی لیتوگرافی دو نانومتری را کلید بزند؛ یک سال بعد (۲۰۲۴)، شاهد آغاز تولید انبوه این لیتوگرافی خواهیم بود.
درحال‌حاضر جدیدترین لیتوگرافی TSMC، نسل اول لیتوگرافی پنج نانومتری است که قطعا در تراشه‌های متعددی از آن استفاده خواهد - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - شد؛ A14 Bionic، نخستین تراشه‌ی پنج نانومتری دنیا که در آیپد ایر ۲۰۲۰ و گوشی‌های خانواده‌ی - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - آیفون ۱۲ از آن - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - استفاده می‌شود، برپایه‌ی لیتوگرافی پنج - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - نانومتری TSMC ساخته شده. در اصطلاح عامیانه، کلمه‌ی نود در عبارت نود پردازشی، به ابعاد واحدهایی از ترانزیستور با نام فین (Fin) اشاره میکند. پردازنده‌ای مدرن شامل میلیاردها فین است. این تعداد زیاد فین‌ها درکنار یکدیگر باعث شده‌اند امکان انجام پردازش‌های بسیار پیچیده فراهم شود. همچنین فین‌های یادشده قیمت تمام‌شده را کاهش میدهند و باعث بهبود قدرت پردازشی تراشه می‌شوند.
برای اشاره به ترانزیستورهایی که در تراشه‌های ساخته‌شده توسط TSMC و بازوی تراشه‌ساز سامسونگ با نام Samsung Foundry مورداستفاده قرار می‌گیرند از عبارت فین‌فت (FinFET مخفف Fin Field Effect Transistor) استفاده می‌شود. بااین‌حال، لیتوگرافی دو - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - نانومتری TSMC قرار است دارای طراحی متفاوتی برای ترانزیستور باشد و عبارت فین‌فت را کنار بگذارد. از طراحی جدید ترانزیستورهای موردبحث - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - با عبارت MBCFET (مخفف Multi-Bridge Channel Field Effect) یاد می‌شود. MBCFET برپایه‌ی طراحی‌های پیشین فین‌فت ساخته شده و بهبودهایی محسوس به‌خود دیده است.
طراحی فین‌فن متشکل‌از سه المان کلیدی است که شامل - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - «منبع»، «دروازه» و «ناودان» می‌شوند؛ الکترون‌ها از منبع به‌سمت ناودان به‌جریان درمی‌آیند و وظیفه‌ی دروازه، تنظیم کردن جریان برق است. در طراحی‌های قبل از فین‌فت، منبع و ناودان تنها در محور افقی تولید می‌شدند و به‌بیانی بهتر، - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - این دو المان هم‌راستا با تراشه قرار می‌گرفتند. TSMC - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - در روش فین‌فت، استراتژی خود را تغییر داد. منبع و ناودان در فین‌فت به بعد سوم مجهز شدند و این یعنی به‌حالت عمودی هم - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - درآمدند. نتیجه‌ی راهکار فین‌فت این بود که الکترون‌های بیشتری می‌توانستند - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - از دروازه عبور کنند؛ به‌علاوه میزان نشست الکترون‌ها کاهش یافت و ولتاژی کاری هم کاهش پیدا کرد.
این نخستین باری نیست که یک شرکت - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - تراشه‌ساز سراغ استفاده از روش MBCFET برای تولید ترانزیستور تراشه‌ها می‌رود. در آوریل سال گذشته‌ی میلادی (فروردین و اردیبهشت ۱۳۹۸) بود که سامسونگ در بیانیه‌ای اعلام کرد قصد دارد برای تراشه‌های سه نانومتری از روش تولید MBCFET استفاده کند. راهکار MBCFET سامسونگ درواقع نسخه‌ی تکامل‌یافته‌ی راهکار GAAFET بود که این - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - شرکت در سال ۲۰۱۷ در همکاری مشترک با IBM طراحی کرده بود.
راهکار MBCFET سامسونگ برخلاف GAAFET برای منبع و ناودان از نانوصفحه (NanoSheet) استفاده میکند، این درحالی است که GAAFET از نانوسیم (NanoWire) استفاده می‌کرد. استفاده از نانوصفحه باعث افزایش سطح رسانای - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - ترانزیستور می‌شود و مهم‌تر از آن، تولیدکننده‌ی تراشه را قادر می‌سازد بدون افزایش سطح جانبی، از دروازه‌های بیشتری در ترانزیستور استفاده کند.
اخبار جدیدی به‌تازگی در - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - بین رسانه‌ها دست‌به‌دست می‌شوند که هنوز به‌تأیید رسمی TSMC نرسیده‌اند؛ این اخبار ادعا می‌کنند TSMC انتظار دارد نرخ - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - بازده لیتوگرافی دو نانومتری‌اش به عدد سرسام‌آور ۹۰ درصد در سال ۲۰۲۳ برسد. اگر این اتفاق رنگ حقیقت به‌خود بگیرد و مشکل دیگری پیش نیاید، TSMC - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - خواهد توانست مطابق برنامه‌های تعیین‌شده، در سال ۲۰۲۴ فرایند تولید انبوه را آغاز کند.
سامسونگ به‌هنگام معرفی ترانزیستورهای MBCFET اعلام کرد انتظار دارد لیتوگرافی سه نانومتری بتواند میزان مصرف انرژی تراشه را نسبت‌به تراشه‌های هفت نانومتری بین ۳۰ تا ۴۵ درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین از افزایش قدرت تراشه‌ی سه نانومتری - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - به‌میزان ۳۰ درصد نسبت‌به تراشه‌ی هفت نانومتری خبر داد.
- تعمیرات سولاردام سانی میرداماد - تعمیرات مایکروویو اسنوا توانیر - تعمیرات مایکروویو بکو میرداماد - تعمیرات سولاردام کنوود آپادانا - تعمیرات مایکروویو سوپرا توانیر - تعمیرات مایکروویو گرنیه توانیر - تعمیرات سولاردام تکا جهان کودک - تعمیرات مایکروویو کنوود بهبودی - تعمیرات سولاردام بیترون شهرآرا - تعمیرات مایکروویو گرنیه شادمان - تعمیرات سولاردام گاسونیک فکوری - تعمیرات مایکروویو ال جی بهبودی - تعمیرات مایکروویو سوپرا حکیمیه - تعمیرات مایکروویو گرنیه حکیمیه - تعمیرات سولاردام ویرپول جمهوری - تعمیرات مایکروویو زیمنس شهرآرا - تعمیرات سولاردام زانوسی حکیمیه - تعمیرات سولاردام زانوسی شادمان - تعمیرات مایکروویو مولینکس بیمه - تعمیرات مایکروویو ال جی شهرآرا - تعمیرات سولاردام هیتاچی جمهوری - تعمیرات سولاردام هاردستون بیمه - تعمیرات سولاردام توشیبا شادمان - تعمیرات مایکروویو فلر میرداماد - تعمیرات مایکروویو کنوود شهرآرا - تعمیرات سولاردام بکو جهان کودک - تعمیرات سولاردام بیم جهان کودک - تعمیرات مایکروویو اسنوا حکیمیه - تعمیرات مایکروویو بوش میرداماد - تعمیرات سولاردام فوما میرداماد - تعمیرات سولاردام توشیبا شهرآرا - تعمیرات مایکروویو دوو میرداماد - تعمیرات سولاردام گالانز جمهوری - تعمیرات مایکروویو تکنوگاز بیمه - تعمیرات سولاردام بیترون جمهوری - تعمیرات مایکروویو سوپرا شادمان - تعمیرات سولاردام ویرپول بهبودی - تعمیرات مایکروویو کندی آپادانا - تعمیرات سولاردام گالانز حکیمیه - تعمیرات سولاردام شارپ میرداماد - تعمیرات مایکروویو زیمنس بهبودی - 
